Sputtertargets aus Wolfram

Höchste Reinheit

Metallische und nichtmetallische Verunreinigungen im Sputtertarget übertragen sich auf die gesputterte Funktionsschicht und beeinträchtigen dadurch deren Funktion oder führen zur Partikelbildung im PVD-Prozess (Arcing-Effekt).

Deshalb erfüllen Sputtertargets höchste Reinheitsanforderungen. Die wichtigsten Vorteile: eine hervorragende elektrische Leitfähigkeit der Schicht, eine minimale Partikelbildung während des PVD-Prozesses und homogene Beschichtungsraten über die Nutzungsdauer der Sputtertargets.

Wir garantieren eine Reinheit unserer Wolfram-Targets von mindestens 99,97 % (3N7). Die typische Reinheit unserer Wolframtargets liegt dabei bei 99,99 %. So stellen wir sicher, dass die erzeugten Schichten den hohen Anforderungen gerecht werden. Für Anwendungen im Halbleiterbereich garantieren wir sogar Reinheiten von mindestens 99,999% (5N).

Höchste Dichte und homogene Mikrostruktur

Durch spezielle Umformverfahren werden unsere Wolfram-Sputtertargets hoch verdichtet. Dies führt zu erhöhten und homogenen Beschichtungsraten und verbesserten Schichteigenschaften im PVD-Beschichtungsprozess. Die Folge sind Vorteile in der Effizienz der Dünnschicht-Produktion sowie eine hohe Ausbringung.

Die Mikrostruktur des Beschichtungsmaterials können wir mit unseren Herstellverfahren gezielt einstellen. Mit einer gleichmäßig ausgebildeten Mikrostruktur und Textur der Sputtertargets können gleichmäßige Abtragsraten und Schichtdicken erzielt werden.